導體退火要遵循三個原則：退火溫度、退火時間、裝盤量。
導體退火溫度：退火溫度要高于完全再結晶溫度，但低于晶粒過分長大的溫度。
導體退火時間：在保證內(nèi)外部導體單絲都充分獲得完全再結晶的條件下，盡量取時間的下限，以提高生產(chǎn)效率和降低電能消耗。
裝盤量：導體裝盤量的大小對導體退火后的性能有直接影響，盡量選擇裝盤量相差不多的退火處理，盡量避免白天退火，裝爐量一次裝滿。
所謂導體退火，即往半導體中注入雜質(zhì)離子時，高能量的入射離子會與半導體晶格上的原子碰撞，使一些晶格原子發(fā)生位移，結果造成大量的空位，將使得注入?yún)^(qū)中的原子排列混亂或者變成為非晶區(qū)，所以在離子注入以后必須把半導體放在一定的溫度下進行退火，以恢復晶體的結構和消除缺陷。同時，退火還有激活施主和受主雜質(zhì)的功能，即把有些處于間隙位置的雜質(zhì)原子通過退火而讓它們進入替代位置
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